高溫擴散爐
擴散爐是半導體製程中最重要設備之一,主要用途是在高温條件下對矽晶圓進行摻雜,使摻雜原子在矽晶圓中擴散,而達到摻雜(Doping)的目的
透過製程控制將不同特性物質以熱處理的方式由矽晶圓表面擴散到指定深度與濃度,從而改變和控制半導體內雜質的型別、濃度和分佈,以便建立起不同的電性特性區域。高溫擴散摻雜所使用的機台稱為「高溫擴散爐」。